MSI 760GM-P33 – страница 9
Инструкция к Материнской Плате Amd MSI 760GM-P33
MS-7623
PCI Expressスロット
PCI ExpressスロットはPCI Expressインターフェース拡張カードをサポートし
ます。
PCI Express x16スロット
PCI Express x1スロット
PCIスロット
PCIスロットは最も汎用性の高い拡張スロットで、対応する様々な拡張カードが
発売されています。拡張カードのセッティング方法については、拡張カードに
同梱される説明書を参照してください。
注意
拡張カードを挿入したり取り外したりする時は、必ず最初に電源プラグを抜い
てください。拡張カードについて記述挿入したりされたマニュアルを読んで、
ジャンパ、スイッチ、BIOSなど必要なハードウェア設定、ソフトウェア設定を
全て実行してください。
PCI割り込み要求ルーティング
ハードウェアがCPUに対して割り込み要求信号を発し、PCはこれを受けてデバ
イスの動作(イベントの発生)を処理します。標準的なPCIバスのIRQ設定は以下
の通りです:
Order
1 2 3 4
Slot
PCI 1 INT A# INT B# INT C# INT D#
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Cell Menu (セルメニュー)
BIOSの設定
周波数/電圧のコントロールやオーバークロックの各種設定を行います。
コンピューターを起動するとシステムはPOST (Power On Self Test)過程に入り
M-Flash
ます。下記のメッセージが画面に表示されている間に<DEL>キーを押すと設定
USBメモリドライブを使ったBIOS更新を行う際に使用します。(FAT/FAT32フ
画面に入ることができます。
ォーマットのみ)
Press DEL to enter SETUP
Load Fail-Safe Defaults (BIOSの初期設定値をロードする)
安定動作を最優先した初期設定値をロードします。
(<DEL>キーを押して設定画面を呼び出す)
<DEL>を押す前にこのメッセージが消えてしまった場合、電源を再投入するか
Load Optimized Defaults (最適のデフォルト値をロードする)
<RESET>を押してシステムを再起動してください。<Ctrl>と<Alt>と<Delete>を
工場出荷時の設定をロードします。動作の安定性と性能の釣り合いが取れた設
同時に押しても再起動できます。
定値です。
メインページ
Save & Exit Setup (設定値を保存して終了する)
変更した設定値を保存して終了します。
Exit Without Saving (設定値を保存せず終了する)
変更した設定値を保存せず終了します。
Standard CMOS Features (標準CMOS設定)
日付/時刻などのシステムの基本的な設定を行います。
Advanced BIOS Features (拡張BIOS設定)
拡張BIOS機能の設定を行います。
Integrated Peripherals (内蔵機能の設定)
IDE、サウンド機能、グラフィック機能などの各種オンボード機能の設定を行い
ます。
Power Management Setup (電源管理セットアップ)
電源管理に関する設定を行います。
H/W Monitor (H/Wモニタ)
PCの状態を表示します。
Green Power (オプション)
動作フェーズ数の確認・設定を行います。
BIOS Setting Password (BIOS設定パスワード)
設定変更を制限するためのパスワードを設定します。
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MS-7623
Cell Menu (セルメニュー)
BIOSの設定
周波数/電圧のコントロールやオーバークロックの各種設定を行います。
コンピューターを起動するとシステムはPOST (Power On Self Test)過程に入り
M-Flash
ます。下記のメッセージが画面に表示されている間に<DEL>キーを押すと設定
USBメモリドライブを使ったBIOS更新を行う際に使用します。(FAT/FAT32フ
画面に入ることができます。
ォーマットのみ)
Press DEL to enter SETUP
Load Fail-Safe Defaults (BIOSの初期設定値をロードする)
安定動作を最優先した初期設定値をロードします。
(<DEL>キーを押して設定画面を呼び出す)
<DEL>を押す前にこのメッセージが消えてしまった場合、電源を再投入するか
Load Optimized Defaults (最適のデフォルト値をロードする)
<RESET>を押してシステムを再起動してください。<Ctrl>と<Alt>と<Delete>を
工場出荷時の設定をロードします。動作の安定性と性能の釣り合いが取れた設
同時に押しても再起動できます。
定値です。
メインページ
Save & Exit Setup (設定値を保存して終了する)
変更した設定値を保存して終了します。
Exit Without Saving (設定値を保存せず終了する)
変更した設定値を保存せず終了します。
Standard CMOS Features (標準CMOS設定)
日付/時刻などのシステムの基本的な設定を行います。
Advanced BIOS Features (拡張BIOS設定)
拡張BIOS機能の設定を行います。
Integrated Peripherals (内蔵機能の設定)
IDE、サウンド機能、グラフィック機能などの各種オンボード機能の設定を行い
ます。
Power Management Setup (電源管理セットアップ)
電源管理に関する設定を行います。
H/W Monitor (H/Wモニタ)
PCの状態を表示します。
Green Power (オプション)
動作フェーズ数の確認・設定を行います。
BIOS Setting Password (BIOS設定パスワード)
設定変更を制限するためのパスワードを設定します。
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セルメニュー
Current CPU/DRAM Frequency (現在のCPU/ DRAM周波数)
この項目でCPU/メモリの周波数を参照できます。(読取専用)
CPU Specications (CPUの仕様)
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。装着されたCPUの情報を
表示します。
AMD Cool’n’Quiet
Cool’nQuiet機能を利用することにより、プロセッサーの異常過熱を防ぐととも
に、省エネ低騒音動作にも効果があります。
注意
Cool’n’Quietの機能を使用するには、以下
の設定を行う必要があります。
*
BIOSセットアップ画面を起動し、[Cell
Menu]を選択します。[Cell Menu]で
[AMD Cool’n’Quiet]を[Enable]に設定して
ください。
*
ウインドウを開き、[Start]->[Settings]-
>[Control Pannel]->[Power Options]を選
択してください。そして[Power Options
Properties]には[Power schemes]の中で
[Minimal Power Management]を選択し
ます。
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MS-7623
Adjust CPU FSB Frequency (MHz) (CPU FSB周波数を調整する)
CPU FSB 周波数を調整します。
Adjust CPU Ratio (CPU倍率を調整する)
CPU倍率を調整します。この項目はプロセッサーが本機能をサポートする場合
には使用可能です。
Adjusted CPU Frequency (MHz) (調整したCPU周波数)
調整したCPU周波数を表示します。読取専用です。
Adjust CPU-NB Ratio (CPU-NB倍率を調整する)
この項目はCPU-NB倍率を調整します。
Adjusted CPU-NB Frequency (MHz) (調整したCPU-NB周波数)
調整したCPU-NB周波数を表示します。読取専用です。
EC Firmware (ECファームウェア)
[Advanced Clock Calibration(高級なクロック校正)]のために、ECファームウェア
を選択します。追加のコアを解除した場合、[Special]に設定し、そしてプロセッ
サーコアを動作させるために、[Advanced Clock Calibration(高級なクロック校
正)]を[Auto]に設定してください。
Advanced Clock Calibration (高級なクロック校正)
オーバークロックのためです。[Enabled]に設定すると、CPU倍率を向上するこ
とができます。プロセッサーが本機能をサポートする場合には、この項目が有
効になります。
MultiStep OC Booster
この項目はオーバークロックからのBIOSのクラッシュを防止します。[Dis-
abled]に設定すると、POST起動直後からOC設定が有効になります。[Mode 1]に
設定すると、POST中は規定クロックで動作し、OSのロードが開始された後に
OC設定が有効になります。[Mode 2]に設定すると、OS起動後にOS設定が有効
になります。
MEMORY-Z
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。DIMMリストからアイテ
ムを選択してメモリSPD情報を読み取ってください。
Advance DRAM Conguration (高級なDRAM配置)
<Enter>キーを押すと、サブメニューが表示されます。
DRAM Timing Modee (DRAMタイミングモード)
この項目でDRAMタイミングがDRAMモジュールのSPD (Serial Presence De-
tect) EEPROM情報によりコントロールするかどうかを決定します。[Auto By
SPD]に設定すると、SPDの情報を基に、自動的に最適な設定を行います。
[Manual]に設定すると、以下のメニューを手動で設定します。
CAS Latency (CL)
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。SDRAMが読み込みコマンドを受信した後読み込みを開始するまでのタイ
ミング遅延であるCASレイテンシーを設定します。
TRCD
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。RAS(行アドレス信号)とCAS(列アドレス信号)の信号間隔を手動で設定し
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ます。一般的にクロックサイクル値が小さいほどDRAMの動作速度が上がり
ます。
TRP
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。DRAMがリフレッシュに必要とする電荷を蓄積する時間を手動で設定し
ます。RAS信号のクロック数がこの時間を規定しますが、電荷を蓄積するた
めの時間が足りない場合はDRAMのリフレッシュは不完全になり、DRAMが
データを保持できなくなることがあります。システムに同期DRAMをインス
トールした場合のみこの項目が利用できます。
TRAS
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。RAS(行アドレス信号)を発信してからデータが読み出されるまでの時間
です。
TRTP
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、この設定はデータ読み込みと
プリチャージ命令の時間間隔をコントロールします。
TRC
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。RAS(行アドレス信号)の読み込みからプリチャージが完了するまでの１サ
イクルの時間です。通常はTRASとTRPの合計時間を入力します。
TWR
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整でき
ます。プリチャージが掛かる前のデータの書込みに要する時間を手動で設定
するのがTWRです。この設定ではプリチャージが掛かる前に、書込みバッフ
ァのデータがメモリセルに完全に書き込まれるように設定する必要がありま
す。
TRRD
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。異なるメモリバンク間でデータアクセスを行うための遅延時間を手動で
設定します。
TWTR
[DRAM Timing Mode]を[Manual]に設定すると、このフィールドが調整できま
す。同じメモリバンク内で処理される書き込み命令から読み取り命令までの
間隔時間を手動で設定します。
1T/2T Memory Timing (1T/2Tメモリタイミング)
ここでSDRAMコマンド率をコントロールできます。[1T]を選択すると、
SDRAM信号コントローラーが1T(T=クロックサイクル)単位で制御され、
[2T]では2T単位で制御されます。
SoftWare Memory Hole (ソフトウェアメモリ穴)
DRAMタイミングを[Manual]に設定すると、この項目が調整できます。Soft-
Ware Memory Holeを有効/無効にします。
FSB/DRAM Ratio (FSB/DRAM倍率)
FSBとメモリクロックを非同期で動作させる場合、本項目で動作比率を設定し
ます。
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Adjusted DRAM Frequency (MHz) (調整したDRAM周波数)
この項目は調整したメモリ周波数を表示します。(読取専用)
HT Link Speed (HTリンクスピード)
Hyper-Transport Linkの速度を設定します。[Auto]に設定すると、システムは自
動的に HT linkの速度を検知します。
Adjust PCI-E Frequency (MHz) (PCI-E周波数を調整する)
この項目はPCI-E周波数を調整します。
CPU Voltage (V) (CPU電圧)
CPU電圧を調整します。
DRAM Voltage (V) (DRAM電圧)
メモリ電圧を調整します。
NB Voltage (V) (NB電圧)
ノースブリッジ電圧を調整します。
Spread Spectrum
コンピューターはクロック信号と呼ばれるパルス信号を元に動作しています。
クロックジェネレーターがパルス信号を発生する際に、構造上やむを得ずスパ
イクノイズと呼ばれる電磁妨害(EMI)が生じます。基本的にはボード上の配線の
取り回しによってノイズを相殺するように工夫しています。しかし特定環境下
において外部にノイズが漏れてしまう場合があり、そのようなケースではスペ
クトラム拡散方式で信号の波形を変更することで、ノイズの漏れを回避する場
合があります。通常は[Disabled]に設定して使用します。また、オーバークロッ
クをかけた状態で使用する場合も[Disabled]に設定してください。
注意
*
特に電波障害などの問題が無い場合は、システムの安定性と性能を確保するた
めに[Disabled]に設定して下さい。また、電波障害などが発生した場合は、必
ず[Enabled]に設定して障害の軽減に努めて下さい。
*
Spread Spectrumの値は大きければ大きいほどノイズ除去効果が高まります
が、システムの安定度は低下します。
*
オーバークロック動作実験をする場合は、必ず[Disabled]に設定して下さい。
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Load Optimized Default (最適のデフォルト値をロードする)
BIOSの設定値を工場出荷時の状態に戻します。安定性とパフォーマンスのバラ
ンスの取れた初期設定値です。
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有毒有害物质或元素名称及含量标识
部件名称 有毒有害物质或元素
铅
汞
镉
六价铬
多溴联苯
多溴二苯醚
(Pb)
(Hg)
(Cd)
(Cr(VI))
(PBB)
(PBDE)
PCB板 〇 〇 〇 〇 〇 〇
结构件 〇 〇 〇 〇 〇 〇
芯 片 ☓ 〇 〇 〇 〇 〇
连接器 ☓ 〇 〇 〇 〇 〇
被动电子
☓ 〇 〇 〇 〇 〇
元器件
线材 〇 〇 〇 〇 〇 〇
〇：表示该有毒有害物质在该部件所有均质材料中的含量均在SJ/T11363-
2006规定的限量要求以下。
☓：表示该有毒有害物质至少在该部件的某一均貭材料中的含量超出SJ/
T11363-2006规定的限量要求。
附记 : 请参照
■
含铅的电子组件。
■
钢合金中铅的含量达0.35%，铝合金中含量达0.4%，铜合金中的含量
达4%。
■
铅使用于高熔点之焊料时(即铅合金之铅含量大于或等于85%) 。
■
铅使用于电子陶瓷零件。
■
含铅之焊料，用于连接接脚 (pins) 与微处理器 (microprocessors) 封
装，此焊料由两个以上元素所组成且含量介于80~85%。
■
含铅之焊料使用于集成电路覆晶封装 (Flip Chippackages) 内部；介于
半导体芯片和载体间，来完成电力连结。
